Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Название:
Раздел:
 
Авторы:
Год выпуска:  до 
Ключевые слова:
   

Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах

Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах

Гутаковский А.К., Латышев А.В., Чувилин А.Л.
Новосибирск: Параллель, 2016 г., 262 с., Тираж 300, ISBN 978-5-98901-185-8

В монографии представлены результаты исследования классических квантовых гетеросистем методами просвечивающей электронной микроскопии. Рассмотрены возможности современной электронной микроскопии и методическая база для анализа атомного строения дефектов структуры и границ раздела; общие закономерности релаксации напряжений и дефектообразования при гетероэпитаксии и влияние на эти процессы механизмов зарождения и роста пленок на основе элементарных полупроводников Ge, Si, соединений А3В5, А2Б6 и их твердых растворов; структурные особенности твердотельных систем пониженной размерности, таких, как сверхрешетки, системы с "квантовыми точками". Полученные экспериментальные данные и выработанные на их основе рекомендации по улучшению структурного совершенства границ раздела и отдельных слоев в классических и квантовых гетеросистемах способствовали развитию технологии молекулярно-лучевой эпитаксии в ИФП СО РАН и служили базой при создании ряда новых приборов и функциональных устройств полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.

Представляет интерес для специалистов, занимающихся синтезом и диагностикой новых материалов, а также - студентов и аспирантов, обучающихся по специальностям "Наноматериалы" и "Нанотехнологии в электронике".

1 000 руб В корзину