Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Название:
Раздел:
 
Авторы:
Год выпуска:  до 
Ключевые слова:
   

Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах

Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2011 г., 158 с., Тираж 400, ISBN 978-5-7692-1183-6 (Вып.31); 978-5-7692-0669-6

(Интеграционные проекты СО РАН, Вып.31) Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1 – x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiO2, оксинитрида SiOxNy и нитрида Si3N4 кремния. 
Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.

550 руб В корзину