Механическая стабильность материалов силовых устройств. Высокотемпературная твердость SiC, AlN и GaN
I. YONENAGA
Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577 (Japan)
E-mail: yonenaga@ imr.edu
Страницы: 853-856
Аннотация
Методом Виккерса в интервале температур 20-1400 °С измерена твердость монокристаллов 6H-SiC, GaN и AlN при нагрузке 0.5-5 Н. Установлено, что при комнатной температуре средняя твердость SiC, GaN и AlN (0001) составляет 25, 11 и 18 ГПа соответственно. При повышенной температуре твердость SiC, GaN и AlN больше, чем для Si, GaAs и ZnS. Установлена высокая механическая стабильность этих полупроводников.
|
