Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2001 год, номер 7

Электрическая характеризация интерфейса в изотипных кремниевых структурах, полученных методом твердофазного сращивания

А. К. ФЕДОТОВ1, А. В. МАЗАНИК1, К. Л. ЕНИШЕРЛОВА2
1Белорусский государственный университет,
проспект Ф. Скорины, 4, Минск 220050 (Беларусь)
Е-mail: fedotov@phys.bsu.unibel.by
2ГУП НПП "Пульсар", Окружной проспект, 27, Москва 105187 (Россия)
Страницы: 885-890

Аннотация

Исследованы свойства интерфейса в изотипных структурах, формировавшихся методом твердофазного сращивания пластин кремния одного типа проводимости, в зависимости от технологии сращивания. Для выявления роли кислорода в электрических свойствах интерфейса проводилось сращивание пластин как покрытых естественным оксидом (толщиной не более 1-2 нм), так и специально окисленных (с толщиной оксида кремния до 20 нм). Исследование бикристаллов, сращенных после соединения на воз-духе или в деионизованной воде, показало, что электрическая активность интерфейса в этом случае определяется главным образом степенью его обогащения кислородом и загрязнением поверхностей сращиваемых пластин акцепторными примесями (предположительно алюминия). Электрическая активность бескислородного интерфейса в структурах, получаемых соединением ионно-травленных пластин и отжигом в вакууме, зависит прежде всего от рассогласования кристаллических решеток сращиваемых пластин. Свойства ТФС-структур с захороненным оксидным слоем, получаемых при сращивании кремниевых пластин n-типа проводимости, определяются загрязнением акцепторной примесью интерфейса сращивания.