Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2001 год, номер 7

Силовые диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-n+-GaAs

Н. С. БОЛТОВЕЦ1, Р. В. КОНАКОВА2, В. В. МИЛЕНИН2, Е. Ф. ВЕНГЕР2, Д. И. ВОЙЦИХОВСКИЙ2
1Государственный научно-исследовательский институт "Орион",
ул. Эжена Потье, 8а, Киев 03057 (Украина), Е-mail: bms@i.kiev.ua
2Институт физики полупроводников НАН Украины,
пр. Науки, 45, Киев 03028 (Украина), Е-mail:konakova@eee.semicond.kiev.ua
Страницы: 911-914

Аннотация

Разработана технология изготовления силовых диодов Шоттки Au-TiBx-n-n+-GaAs планарной и мезаструктуры на интегральном теплоотводе. Экспериментально исследовано влияние термического отжига при T = 500 °С в течение 1 ч в атмосфере водорода на барьерные свойства контакта. Показана воз-можность создания термостойкого (до 500 °С) силового диода Шоттки Au-TiBx-n-n+-GaAs с напряжением лавинного пробоя ~200 В.