Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика

2003 год, номер 5

Моделирование спектра излучения молекулы SiH (A2Δ → X2Π) и измерение вращательной температуры состояния A2Δ в электронно- пучковой плазме

Е. А. Баранов, С. Я. Хмель
Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН, 630090 Новосибирск
Страницы: 3-11

Аннотация

Выполнено численное моделирование эмиссионного спектра полосы 0–0 перехода A2Δ → X2Π молекулы SiH. Полученные результаты хорошо согласуются с известными расчетными и экспериментальными данными. Путем сравнения расчетного и экспериментального спектров определена вращательная температура состояния A2Δ молекулы SiH в свободной струе чистого моносилана (SiH4) и смеси с гелием (He+SiH4), активированной электронным пучком. Подтверждено предположение о том, что излучение молекулы SiH возникает в результате диссоциативного возбуждения SiH4 электронным ударом. Приведены значения вращательной температуры при различных концентрациях моносилана и расстояниях от сопла. В полученных спектрах зарегистрировано излучение иона кремния с длинами волн 412,807; 413,089 нм.