Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2010 год, номер 1

АНАЛИЗ ПРИНЦИПОВ ПОСТРОЕНИЯ СХЕМ КРЕМНИЕВЫХ МУЛЬТИПЛЕКСОРОВ ДЛЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ИК-ФОТОПРИЕМНИКОВ

А. И. Козлов
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН,
kozlov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: ИК-фотоприемник, схема считывания фототоков, кремниевые мультиплексоры
Страницы: 118-129

Аннотация

Рассмотрены основы построения кремниевых мультиплексоров для линейчатых и матричных ИК-фотоприемников. Представлены кремниевые мультиплексоры, предназначенные для совместной работы с многоэлементными фотодиодными детекторами на основе соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ), с многоэлементными фоторезистивными детекторами с использованием многослойных структур с квантовыми ямами и другими типами фотодетекторов со спектральной чувствительностью в ИК-диапазонах 3-5 и 8-16 мкм. Типоразмерный ряд мультиплексоров содержит 19 моделей, отличающихся форматом, входными схемами, зарядовой емкостью и шагом ячеек. На базе разработанных мультиплексоров созданы гибридные и монолитные фотоприемники различных форматов для среднего и дальнего ИК-диапазонов с достаточно высоким (<0,02 К) разрешением по температуре.