Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 52.91.0.68
    [SESS_TIME] => 1711655311
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => a586fb2d7a37ff0af79271c44b87fd3b
    [UNIQUE_KEY] => 8567d2ff8c22ef8c525a66dcbbb6bd99
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

ВЛИЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЗАХВАТА ЭЛЕКТРОНОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА PbSnTe:In

А. Э. Климов, В. Н. Шумский
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
klimov@thermo.isp.nsc.ru, shumsky@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: центры захвата, PbSnTe:In, инжекция из контактов
Страницы: 35-42

Аннотация

Обобщены результаты экспериментальных работ, в которых приводятся данные о влиянии центров захвата электронов на свойства Pb1 - x SnxTe: In с x ≈ 0,24-0,29 при температурах ниже 20 К. Рассмотрена модель, непротиворечиво объясняющая особенности ряда явлений в твёрдых растворах Pb1 - xSnxTe: In: вольт-амперные характеристики без освещения, являющиеся результатом инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом при захвате электронов на ловушки, распределённые по энергии в запрещённой зоне; фотоэлектрические явления в инфракрасной и терагерцовой областях спектра; особенности гальваномагнитных явлений; флуктуации тока, включая его автоколебания без и при наличии освещения.