Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2009 год, номер 4

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА КРАСНОЙ И ЧЕРНОЙ МОДИФИКАЦИЙ ДИФОСФИДА ЦИНКА

К. Б. Алейникова1, М. М. Афанасьев2, И. Е. Занин3
1 Воронежский государственный университет
2 Воронежский государственный университет, mike@phys.vsu.ru
3 Воронежский государственный университет
Ключевые слова: эпитаксиальный рост, дифосфид цинка, атомы-аналоги, атомный мотив, плоскости сращивания
Страницы: 723-725

Аннотация

Исследована природа эпитаксиального сращивания черной (β) и красной (α) модификаций дифосфида цинка. Показано, что сращивание монокристаллов обусловлено тем, что атомы-аналоги в обеих структурах образуют практически идентичные структурные мотивы. Черная модификация нарастает на плоскость (001) красной так, что ее ось b параллельна плоскости (110) α-ZnP2.