СТРУКТУРА РЕНИЕВЫХ ПОКРЫТИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ CVD
Н. В. Гельфонд1, Н. Б. Морозова2, Е. С. Филатов3, С. А. Громилов4, И. К. Игуменов5
1 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
3 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, filatov@che.nsk.su
4 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
5 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
Ключевые слова: Re-покрытия, рентгеновская дифракция, сканирующая электронная микроскопия, химическое осаждение из паровой фазы (CVD), диренийдекакарбонил, циклопентадиенилренийтрикарбонил
Страницы: 1179-1186
Аннотация
Методом химического осаждения из паровой фазы в атмосфере водорода из Re2(CO)10
и Re(CO)3(Cp) на стальных и керамических (С/SiC) подложках получены покрытия рения со средней толщиной 3-13 мкм при использовании Re2(CO)10 и 2-8 мкм при осаждении из Re(CO)3(Cp). Покрытия были исследованы методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии. Показано, что при использовании Re2(CO)10 увеличение температуры осаждения приводит к росту текстурированных покрытий с преимущественной ориентацией кристаллитов в направлении [0 0 2]. При этом наблюдается тенденция уменьшения размеров кристаллитов рения. Структура Re-покрытий, полученных из Re(CO)3(Cp) на стальных подложках, при изменении температуры испарителя существенно меняется - с компактной неслоистой без ярко выраженного направления роста (Tиспарителя = 120 °C) на трехслойную структуру с начальным слоем с компактной структурой и следующими за ним столбчатым и порошкообразным слоями (Tиспарителя = 110 °C). На керамических подложках при температуре испарителя 110 °C образуется компактное мелкозернистое покрытие.
|
