Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2010 год, номер 6

Генезис энергетических зон из подрешеточных состояний в кристаллах MgSiN2 и MgGeN2

Ю. М. Басалаев1, П. В. Демушин2
1 Кемеровский государственный университет, ymbas@kemsu.ru
2 Кемеровский государственный университет
Ключевые слова: функционал плотности, метод подрешеток, тройные нитриды
Страницы: 1225-1229

Аннотация

На основе метода функционала плотности с использованием метода подрешеток исследовано электронное строение орторомбических кристаллов MgSiN2, MgGeN2 и их подрешеток. Зонную структуру орторомбических кристаллов сравнивали со структурой их гипотетических аналогов с решеткой халькопирита. Установлено происхождение особенностей структуры валентных зон исследуемых кристаллов из подрешеточных состояний, изменение которых в основном обусловлено взаимодействием атомов в катионных тетраэдрах SiN4 и GeN4.