Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Физика горения и взрыва

1986 год, номер 2

Полупроводниковый датчик импульсного давления

К. Э. Бернотас, А. А. Грицюс, С. Г. Жиленис,
Ч. К. Петровский
Вильнюс
Страницы: 133-135

Аннотация

Приведена конструкция датчиков импульсного давления на основе полупроводниковых преобразователей из твердых растворов арсенидов галлия и алюминия. Полупроводниковые датчики обладают низким выходным сопротивлением (300–500 Ом), высокой чувствительностью к давлению (0,3–0,6 В/100 МПа) и линейностью зависимости сопротивления от давления (в диапазоне 0–100 МПа нелинейность менее 1,5%). Приведены примеры регистрации давления с помощью полупроводниковых датчиков при горении пороха.