Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2013 год, номер 4

Электронно-энергетическая структура GaN при замещении атомов галлия атомами титана или цинка

А.О. Литинский, С.И. Новиков, Д.С. Попов
Волгоградский государственный технический университет, просп. Университетский, 100, Волгоград, 400066
novikov_s@bk.ru
Ключевые слова: энергетический спектр электронов, DFT-расчеты, гексагональный нитрид галлия, структуры Ti/GaN и Zn/GaN, разбавленные магнитные полупроводники
Страницы: 615-622
Подраздел: ТЕОРИЯ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ И ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ

Аннотация

Расчетная схема на основе теории функционала плотности с полной оптимизацией геометрии, модифицированная на случай структур с трансляционной симметрией, применена к исследованию энергетического спектра электронов и магнитных характеристик гексагонального нитрида галлия и структур YxGa1–xN (Y: донорная (Ti) или акцепторная (Zn) примесь). Обсуждена зависимость от концентрации допантов релаксационных смещений внедренных атомов, положения уровня химического потенциала, границ энергетических зон, ширины валентных зон и энергий, отвечающих внутризонным максимумам плотности состояний.