Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2013 год, номер Приложение 1

ЭПР НОВЫХ ФОСФОРСОДЕРЖАЩИХ ЦЕНТРОВ В СИНТЕТИЧЕСКИХ АЛМАЗАХ

В.А. Надолинный1, А.Ю. Комаровских1, Ю.Н. Пальянов2, И.Н. Куприянов2
1Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, 630090 Новосибирк, пр. Акад. Лаврентьева, 3
spectr@niic.nsc.ru
2Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, 630090 Новосибирск, пр. Ак. Коптюга, 3
Ключевые слова: фосфор, азот, вакансия, синтетический алмаз, технология БАРС, электронный парамагнитный резонанс
Страницы: 88-93
Подраздел: ЭПР СПЕКТРОСКОПИЯ

Аннотация

Исследовано влияние облучения электронами и рентгеном на фосфорные центры в синтетических алмазах, выращенных в P—C среде по технологии БАРС. После облучения рентгеном в отожженных при температуре 2300 °С и давлении 7,5 ГПа алмазах наряду с фосфорными центрами NP4 и NP5 обнаружен новый парамагнитный фосфорсодержащий центр NP6. Моделирование спектра этого центра позволило рассчитать параметры: A1 = 29,42 Гс, A2 = 23,28 Гс, A3 = 75,85 Гс, g1 = 2,00085, g2 = 2,00083, g3 = 2,00083. Предполагается, что центры NP4—NP6 генетически связаны с тремя азотно-фосфорными центрами NP1—NP3 и образуются при трансформации тетраэдрического окружения вокруг атома фосфора на октаэдрическое при температуре отжига 2300 °C. Синтетические алмазы, отожженные при 2300 °С, последовательно подвергали облучению электронами с энергией 3,5 МэВ (5×10 17 эл/см 2) и отжигу при температуре 500 и 700 °С. Методом ЭПР установлено, что в результате отжига облученных электронами кристаллов при 700 °С образуется новый парамагнитный центр со спином S = 1 и СТС от одного атома фосфора c параметрами: g = 2,0012, D = 19,7 Гс и А(Р) = 3,6 Гс. Центр, предположительно, имеет структуру 8-вакансионной цепочки, в центре которой расположен атом фосфора.