Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.206.160.129
    [SESS_TIME] => 1711665114
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 7be47ed15f9ea330417f59fa7cfcb03e
    [UNIQUE_KEY] => 25027012998c3b68e8d8f8d5a10b2345
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика

1976 год, номер 6

Модель неупругого рассеяния атома на поверхности кристалла в импульсном приближении

А. Е. Галанов
Новосибирск
Страницы: 145-149

Аннотация

Рассмотрена трехмерная квантовая задача однократного рассеяния атома на простом кристалле. Взаимодействие выбирается в виде суммы парных потенциалов частицы с атомами решетки, гамильтониан кристалла – в гармоническом приближении. Для описания рассеяния впервые использовано импульсное приближение с «квазиклассической связью». Не учитываются интерференционные эффекты. Предложен способ описания сильно неупругого рассеяния. Найден общий вид энергии отдачи, зависящий от динамики поверхности. Предложена модель дисперсии в поверхностном слое, в которой учтены некоторые основные свойства рассеяния фононов на двумерных дефектах. Получено дифференциальное сечение рассеяния, позволяющее найти различные характеристики однократного рассеяния. Результаты содержат все основные исходные параметры задачи в виде приведенных комбинаций. Результаты иллюстрируются рассеянием на жестких сферах. Показано, что однопиковый квазизеркальный характер отражения, наблюдаемый при энергиях падающих частиц до 100 эВ, связан со спецификой отдачи поверхностных центров.