Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 52.205.159.48
    [SESS_TIME] => 1711656125
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 11540e52f4ce1d8b54cab4f5fedbe096
    [UNIQUE_KEY] => 29d87263802de915fd51063561c05245
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2015 год, номер 3

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ДЕФЕКТНОГО ХАЛЬКОПИРИТА CdGa2Se4 ПО ДАННЫМ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО РАСЧЕТА "ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ" И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

А.А. Лаврентьев1, Б.В. Габрельян1, П.Н. Шкумат1, П.Н. Никифоров1, О.В. Парасюк2, О.Ю. Хижун3
1Донской государственный технический университет, 344000 Россия, Ростов-на-Дону, пл. Гагарина, 1
alavrentyev@dstu.edu.ru
2Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки, 43025 Украина, Луцк, просп. Воли, 13
3Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, 03680 Украина, Киев, ул. Кржижановского, 3
Ключевые слова: электронная структура, дефектный халькопирит, плотности электронных состояний, рентгеновские спектры
Страницы: 523-526
Подраздел: МАТЕРИАЛЫ КОНФЕРЕНЦИИ «РЕНТГЕНОВСКИЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ И ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ» (РЭСХС-21), НОВОСИБИРСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР, 7-11 ОКТЯБРЯ 2013 Г

Аннотация

Модифицированным методом присоединенных плоских волн (ППВ) по программе WIEN2k рассчитаны "из первых принципов" полные и парциальные плотности электронных состояний всех компонентов CdGa2Se4. Результаты ППВ-расчета свидетельствуют о том, что в соединении CdGa2Se4 наибольший вклад в валентную зону осуществляют Seр-состояния — их вклад максимальный у потолка валентной зоны, а у дна зоны проводимости преобладают вклады Gas*-состояний. В CdGa2Se4, согласно результатам теоретического ППВ-расчета, существенный вклад в валентную зону осуществляют также электронные Cdd- и Gap-состояния (с преимущественным их вкладом у дна и в верхней части зоны соответственно). Совмещение в единой энергетической шкале рентгеновских эмиссионных Cd Lβ2,15-, GaKβ 2- и SeKβ 2-полос, а также рентгеновского фотоэлектронного спектра валентных электронов, полученных для монокристаллов CdGa2Se4, свидетельствует о хорошем согласии полученных в нашей работе теоретических и экспериментальных данных относительно особенностей электронного строения соединения CdGa2Se4.

DOI: 10.15372/JSC20150315