Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 34.204.3.195
    [SESS_TIME] => 1711619621
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => bffb91f89dfdd22dd228b4a46eb454ec
    [UNIQUE_KEY] => a6e07fd9deb22b6018354f03a7f63122
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 3

ЭФФЕКТЫ БЛИЗОСТИ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ЛИТОГРАФИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ

Е.Е. Родякина1,2, К.А. Конфедератова1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
rodyakina@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
kseniya.konfederatova@gmail.com
Ключевые слова: фотонные кристаллы, электронно-лучевая литография, наноструктурирование, photonic crystals, electron beam lithography, nanostructuring
Страницы: 93-99
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Рассмотрены эффекты близости при формировании фотонных кристаллов в виде упорядоченных массивов однородных по размеру отверстий радиусом 100 нм методами электронно-лучевой литографии. Экспериментально определены коэффициенты функции близости, характеризующей вклад обратнорассеянных и вторичных электронов в дозу экспонирования. Показано, что минимальное стандартное отклонение от среднего значения радиуса элементов в массиве достигается коррекцией эффекта близости с использованием коэффициентов, полученных экспериментально, и итерационного уравнения с увеличенным вкладом от обратнорассеянных электронов.

DOI: 10.15372/AUT20160312