Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.15.202.4
    [SESS_TIME] => 1713570232
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 4f94f695af0ca0233207d202200d2429
    [UNIQUE_KEY] => bcffcea05985fae4b1d1396da168c789
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика

2016 год, номер 4

Задача конвективной диффузии из газовой фазы к вращающемуся диску

Е.Л. Панкратов, П.Б. Болдыревский
Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, 603950, Россия
elp2004@mail.ru
Ключевые слова: эпитаксия из газовой фазы, конвективная диффузия, диск-подложкодержатель, epitaxy from gas phase, convective diffusion, substrate holder disk
Страницы: 74-83

Аннотация

Предложена методика аналитического расчета скорости потока газовой смеси и концентрации ростового компонента в процессе эпитаксии из газовой фазы, происходящей в реакционной камере с вращающимся диском-подложкодержателем. Проведен анализ зависимости концентрации ростового компонента от ряда технологических параметров процесса эпитаксии.

DOI: 10.15372/PMTF20160407