Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.119.131.72
    [SESS_TIME] => 1713593815
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 50e3c92ab7096ca7c1de8f788ba33c7b
    [UNIQUE_KEY] => d67a414723bf650cb76dac457b52a8dd
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 5

ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN–ДИОДАХ

В.Т. Шамирзаев1, В.А. Гайслер1,2, Т.С. Шамирзаев2,3
1Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, просп. К. Маркса, 20
tim@isp.nsc.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
haisler@isp.nsc.ru
3Уральский федеральный университет, 620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19
Ключевые слова: лазерный диод, отрицательное дифференциальное сопротивление
Страницы: 31-36
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму.

DOI: 10.15372/AUT20160505