Новые материалы для вакуумной литографии субмикронного разрешения
Л. Д. НИКУЛИНА, С. М. ВОЛКОВА, В. А. ТРУНОВА, Л. Ф. БАХТУРОВА, В. С. ДАНИЛОВИЧ
Институт неорганической химии Сибирского отделения РАН, проспект Академика Лаврентьева, 3, Новосибирск 630090 (Россия)
E-mail: lnik@che.nsk.su
Аннотация
Предложены летучие радиационно-чувствительные материалы нового класса - b-дикетонаты редкоземельных элементов (РЗЭ) с дополнительными лигандами. Общая формула - NaLnL4 · nQ, где n = 0 или 1; L - b-дикетоны C8H10O2F3 и C10H10O2F7; Ln3+ = La - Lu; Q - дополнительные лиганды C12H8N2, C12H24O6, C12H26O4N2, C20H24O6, C26H18. Эти материалы могут быть использованы как резисты для сухой УФ-литографии, а также как электроно- и рентгенорезисты. Введение фоточувствительных добавок и использование специальных методов синтеза привели к повышению чувствительности материалов и дали возможность изменять тип резистов (негативный или позитивный). Изучена устойчивость этих материалов к сухому травлению (CF4, CCl4, O2). Повышение устойчивости к плазмохимическому травлению может быть достигнуто двумя путями: введением галогенов в b-дикетоны или ароматических колец в дополнительные лиганды. Материалы на основе C10H10O2F7 представляют собой резисты, испаряющиеся при экспонировании излучением Xe-Cl лазера. Установлено, что эти материалы малотоксичны.
|
