Динамические и статические характеристики МОП-тиристоров, облученных электронами
Е. В. ЧЕРНЯВСКИЙ1, В. П. ПОПОВ1, Ю. С. ПАХМУТОВ2, Ю. И. КРАСНИКОВ1, Л. Н. САФРОНОВ1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, проспект Академика Лаврентьева, 13, Новосибирск 630090 (Россия) E-mail: evgen@isp.nsc.ru 2ОАО "Ангстрем", Южная промзона, Зеленоград, Москва 103460 (Россия)
Страницы: 901-906
Аннотация
Представлены результаты разработки и изготовления МОП-тиристоров. Изучены статические и динамические характеристики. Исследовано влияние облучения электронами на статические и динамические характеристики. Обнаружено, что облучение электронами существенно уменьшает время выключения МОП-тиристора, а также наблюдается увеличение плотности управляемого тока.
|