Проект биполярно-полевого транзистора (IGBT) 50 A 1800 B,изготовленного на пластинах высокоомного бестигельного кремния с ориентацией (100).
Е. В. ЧЕРНЯВСКИЙ1, В. П. ПОПОВ1, Ю. С. ПАХМУТОВ2, Ю. Н. МИРГОРОДСКИЙ3, Л. Н. САФРОНОВ1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, проспект Академика Лаврентьева, 13, Новосибирск 630090 (Россия) E-mail: evgen@isp.nsc.ru 2ОАО "Ангстрем", Южная промзона, Зеленоград, Москва 103460 (Россия) 3Технологический центр МИЭТ, Зеленоград, Москва 103460 (Россия)
Страницы: 907-910
Аннотация
Предложен проект высоковольтного IGBT-транзистора. Транзистор изготавливается на высокоомной подложке с применением NPT-технологии. Проведено численное моделирование технологии изготовления и статических вольт-амперных характеристик. Показана возможность увеличения рабочего напряжения до 1800 В.
|