Высокочистые кремнийорганические прекурсоры для плазмохимического осаждения тонких диэлектрических покрытий
Р. Г. Мирсков, В. И. Рахлин, М. Г. Воронков
Иркутский институт химии имени А. Е. Фаворского Сибирского отделения РАН,
ул. Фаворского,1, Иркутск 664033 (Россия), E-mail: admin@irioch.irk.ru
Страницы: 523-527
Аннотация
Разработаны экологически безопасные методы получения высокочистых жидких кремнийорганических соединений, содержащих связи Si–O–Si, Si–O–B, Si–O–P, Si–O–Sb, Si–N–Si, Si–N–N. Показана перспективность их применения в качестве прекурсоров для плазмохимического осаждения тонких диэлектрических покрытий различного функционального назначения в производстве интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Новые прекурсоры позволяют исключить применяющиеся в настоящее время токсичные, огне-, взрывоопасные и дорогостоящие газы, такие как силан, диборан, фосфин и нестабильный триметилстибин.
|
