ОСОБЕННОСТИ АДМИТТАНСА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СЛОЕВ КРТ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
А. В. Ярцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск E-mail: jartsev@ngs.ru
Страницы: 83-88
Аннотация
Исследован адмиттанс структур металл- диэлектрик- полупроводник на основе слоев Hg1–xCdxTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из полуизолирующего GaAs. Обнаружен эффект аномальной генерации на поверхности Hg1–xCdxTe в сильном электрическом поле (≈105 В/см). Показано, что плотность поверхностных состояний границы раздела МЛЭ КРТ–SiO2 слабо зависит от наличия варизонного слоя и типа проводимости полупроводника.
|