ОБРАТНЫЙ ТОК p–n-ПЕРЕХОДОВ С ПОЛЕВЫМ ЭЛЕКТРОДОМ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР CdHgTe/GaAs
В. Н. Овсюк, А. В. Ярцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск E-mail: jartsev@ngs.ru
Страницы: 89-97
Аннотация
Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик диодов с управляющим электродом. Диоды изготовлены на основе варизонных слоев Cd0,22Hg0,78Te (КРТ), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на полуизолирующей подложке GaAs и предназначенных для приемников ИК-излучения с граничной длиной волны lc = 10 мкм. Показано, что поверхностные токи вносят существенный вклад в обратные токи фотодиодов на основе МЛЭ КРТ при обогащении и инверсии. Получена критическая величина плотности встроенного заряда, при которой уровень поверхностных утечек не превышает 20 % от объемного тока.
|