МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ ПРИ СБОРКЕ ГИБРИДНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ КРТ
В. М. Ефимов, Д. Г. Есаев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск E-mail: efimov@isp.nsc.ru
Страницы: 98-103
Аннотация
Предлагается простой метод определения критического давления, не разрушающего диоды на основе CdxHg1–xTe при гибридной сборке. Метод позволяет получить набор данных, надежно определяющих критический параметр (величина усилия) технологии flip-chip сборки гибридных фотоприемных устройств. Метод опробован на образцах CdxHg1–xTe (x = 0,21). Установлено, что резкое изменение электрофизических свойств материала происходит при увеличении диаметра индиевых микростолбов в процессе сдавливания в 2 раза и более и давлении около 3 кг/мм2. Полученные калибровочные зависимости «приложенная нагрузка/деформация микростолба» показывают, что такие давление соответствуют началу области «упрочнения» индия на деформационной кривой.
|