СТРОЕНИЕ МОЛЕКУЛЫ тЕТРАКИС(ТРИХЛОРСИЛИЛ)МЕТАНА, С(SiCl3)4
Ю. С. Ежов1, С. А. Комаров2, Е. П. Симоненко3, Р. Г. Павелко4, В. Г. Севастьянов5, Н. Т. Кузнецов6
1 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН, ezhovyus@mail.ru 2 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН 3 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова 4 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН 5 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова 6 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
Ключевые слова: газовая электронография, квантовая химия, тетракис(трихлорсилил)метан, строение молекул, внутреннее вращение
Страницы: 160-164
Аннотация
Методами квантовой химии и газовой электронографии (при температуре 303±5 K) определены параметры геометрической конфигурации тетракис(трихлорсилил)метана, С(SiCl3)4. Рассчитаны частоты колебательного спектра. Величина барьера внутреннего вращения групп SiCl3 относительно связи Si-С составляет 148,7 кДж/моль.
|