ОСОБЕННОСТИ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛЫ ОКТАХЛОРТРИСИЛАНА Si3Cl8
Ю. С. Ежов1, С. А. Комаров2, Е. П. Симоненко3, В. Г. Севастьянов4
1 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН, Термоцентр им. В.П. Глушко, Москва 2 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН, Термоцентр им. В.П. Глушко, Москва 3 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова 4 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
Ключевые слова: газовая электронография, квантовая химия, октахлортрисилан, строение молекул, внутреннее вращение
Страницы: 633-639
Аннотация
Методами квантовой химии и газовой электронографии при температуре 303±2 K определены параметры геометрической конфигурации октахлортрисилана Si3Cl8. Рассчитана величина барьера внутреннего вращения групп SiCl3 относительно связи Si-Si.
|