ПРЕЦИЗИОННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОСТРУКТУР
Л. И. Федина, Д. В. Щеглов, А. К. Гутаковский, С. С. Косолобов, А. В. Латышев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН,
630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13,
fedina@thermo.isp.nsc.ru, sheglov@thermo.isp.nsc.ru, gut@thermo.isp.nsc.ru, kosolobov@thermo.isp.nsc.ru, latyshev@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: метрология, нанодиагностика, полупроводниковые наноструктуры, просвечивающая электронная и сканирующая зондовая микроскопия, самоорганизация
Страницы: 5-18
Аннотация
Описаны прецизионные измерения, выполненные с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) и высокоразрешающей электронной микроскопии (ВРЭМ), которые направлены на решение проблем метрологии и диагностики твердотельных наноструктур. Показано, что высота моноатомной ступени на поверхности Si(111), покрытой тонким естественным оксидом, по данным ВРЭМ составляет 0,314 ± 0,001 нм. Такая же точность измерений достигнута в АСМ на основе управления рельефом поверхности Si при прогреве в сверхвысоком вакууме на специально созданных тест-объектах с расстоянием между ступенями около 2 мкм. Показано, что метод геометрической фазы может быть использован для количественного анализа деформаций кристаллической решётки напряжённых гетероструктур по ВРЭМ-изображениям с точностью до 10-4 %, а in situ облучение электронами во ВРЭМ - для визуализации в Si упорядоченной кластеризации вакансий и междоузельных атомов в плоскости {113}.
|
