Исследование электронной структуры поливинилсилоксана (СН2СНSiO1,5)n методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и квантово-химического моделирования в приближении ТФП
В. И. Вовна1, И. С. Осьмушко2, В. В. Короченцев3, Н. П. Шапкин4, М. В. Тутов5
1 Дальневосточный государственный университет, Владивосток 2 Дальневосточный государственный университет, Владивосток, vanja@phys.dvgu.ru 3 Дальневосточный государственный университет, Владивосток 4 Дальневосточный государственный университет, Владивосток 5 Дальневосточный государственный университет, Владивосток
Ключевые слова: полимеры, силоксаны, РФЭС, ТФП, электронная структура, XPS, DFT
Страницы: 910-915
Аннотация
Электронное строение полимерных цепей поливинилсилоксана (Si2O3(CHCH2)2)n исследовано методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и квантовой химии в приближении ТФП. Энергия связи 1s-электронов С и О, занимающих неэквивалентные положения в полимере, совпадает в пределах точности эксперимента. Значения энергии связи для С и О (284,9 и 532,4 эВ) и для Si2p-электронов (102,7 эВ) хорошо согласуются со значениями для родственных соединений. Экспериментальные данные для энергии связи воспроизводятся в ХФ и ТФП расчетах только с применением расширенного базиса 6-311**(d). Верхние заполненные уровни полимера - π-орбитали винильных групп.
|