Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.128.226.128
    [SESS_TIME] => 1732195743
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => a207548727a1126a099bb10df0809497
    [UNIQUE_KEY] => 0eedda3b903b7835f5672ace5fac63aa
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2010 год, номер 6

Генезис энергетических зон из подрешеточных состояний в кристаллах MgSiN2 и MgGeN2

Ю. М. Басалаев1, П. В. Демушин2
1 Кемеровский государственный университет, ymbas@kemsu.ru
2 Кемеровский государственный университет
Ключевые слова: функционал плотности, метод подрешеток, тройные нитриды
Страницы: 1225-1229

Аннотация

На основе метода функционала плотности с использованием метода подрешеток исследовано электронное строение орторомбических кристаллов MgSiN2, MgGeN2 и их подрешеток. Зонную структуру орторомбических кристаллов сравнивали со структурой их гипотетических аналогов с решеткой халькопирита. Установлено происхождение особенностей структуры валентных зон исследуемых кристаллов из подрешеточных состояний, изменение которых в основном обусловлено взаимодействием атомов в катионных тетраэдрах SiN4 и GeN4.