ОБ ЭФФЕКТИВНОСТИ ГЕНЕРАЦИИ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ GaAs, InAs и InSb
В. Д. Анцыгин, Н. А. Николаев
Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН antsigin@iae.nsk.su, nazar@iae.nsk.su
Ключевые слова: генерация терагерцового излучения, фотоэффект Дембера
Страницы: 23-30
Аннотация
Экспериментально исследована импульсная генерация терагерцового излучения в полупроводниках GaAs, InAs и InSb под действием фемтосекундного лазерного излучения на длине волны 775 нм. Показано, что помещение InAs в магнитное поле 0,8 Тл приводит к увеличению эффективности генерации в 2,7 раза. Продемонстрировано увеличение эффективности генерации за счёт механизма оптического выпрямления при использовании образцов InAs ориентации 〈111〉.
|