СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ДВОЙНЫХ ОКСИДОВ HfO2-Sc2O3
Л. В. Яковкина1, Т. П. Смирнова1, В. О. Борисов1, С. Джонг-хван2, Н. Б. Морозова1, В. Н. Кичай1, А. В. Смирнов1
1 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
2 Отделение информатики и технологии электронных материалов Пай Чай университет
yakovk@niic.nsc.ru
Ключевые слова: тонкие пленки, двойные оксиды, осаждение из газовой фазы
Страницы: 764-768
Аннотация
В работе приводятся результаты исследования химического строения и структуры тонких пленок (HfO2)x(Sc2O3)1-x. Пленки были получены методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) из комплексных соединений 2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандионат гафния (Hf(thd)4) и 2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандионат скандия (Sc(thd)3). Методами рентгенофазового анализа (РФА) и инфракрасной (ИК) спектроскопии показано, что в зависимости от содержания скандия в пленках структура их меняется от моноклинной к кубической. Из вольт-емкостных зависимостей тестовых структур Al/(HfO2)x(Sc2O3)1-x/Si была определена диэлектрическая проницаемость пленок. Для пленок кубической структуры k = 21, для пленок моноклинной структуры k = 9.
|
