ВЫРАЩИВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР HgCdTe ПРИ ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКОМ КОНТРОЛЕ in situ
В. А. Швец1, Н. Н. Михайлов2, С. А. Дворецкий2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
shvets@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, dvor@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмий-ртуть-теллур, гетероструктуры, ИК-фотоприёмники, эллипсометрия, технологический контроль
Страницы: 13-24
Аннотация
Представлен ретроспективный анализ проблемы выращивания многослойных и варизонных структур на основе КРТ методом МЛЭ с эллипсометрическим контролем, а также методические разработки в области эллипсометрии неоднородных структур. Проведены расчёты и получено решение прямой и обратной задач для ряда практически важных случаев. Экспериментально продемонстрирована высокая точность определения толщины и состава слоёв при выращивании гетероструктур нанометрового диапазона толщин. В ряде случаев для повышения точности решения обратной задачи в расчётах предложено использовать относительную производную эллипсометрических параметров, измеренных в процессе выращивания структуры. Это позволило определять профили оптических постоянных градиентных по составу структур. Проведены теоретические расчёты для периодических слоистых структур и экспериментально показана возможность их контролируемого создания.
|
