ВЛИЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЗАХВАТА ЭЛЕКТРОНОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА PbSnTe:In
А. Э. Климов, В. Н. Шумский
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН klimov@thermo.isp.nsc.ru, shumsky@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: центры захвата, PbSnTe:In, инжекция из контактов
Страницы: 35-42
Аннотация
Обобщены результаты экспериментальных работ, в которых приводятся данные о влиянии центров захвата электронов на свойства Pb1 - x SnxTe: In с x ≈ 0,24-0,29 при температурах ниже 20 К. Рассмотрена модель, непротиворечиво объясняющая особенности ряда явлений в твёрдых растворах Pb1 - xSnxTe: In: вольт-амперные характеристики без освещения, являющиеся результатом инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом при захвате электронов на ловушки, распределённые по энергии в запрещённой зоне; фотоэлектрические явления в инфракрасной и терагерцовой областях спектра; особенности гальваномагнитных явлений; флуктуации тока, включая его автоколебания без и при наличии освещения.
|