Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.145.62.36
    [SESS_TIME] => 1733250216
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 53d9747294924c96e89c4c6386279483
    [UNIQUE_KEY] => 6d50116e3afef918df9f7886400043fb
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И РЕКОМБИНАЦИОННО-ДИФФУЗИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛЁНКАХ КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР p-ТИПА

В. Я. Костюченко1, Д. В. Комбаров1, Д. Ю. Протасов2
1 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Сибирская государственная геодезическая академия»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
v.y.kostuk@ssga.ru, astrogator@list.ru, protasov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоэлектромагнитные методы, рекомбинационно-диффузионные параметры, плёнки и плёночные структуры узкозонных полупроводников
Страницы: 122-129

Аннотация

Описан автоматизированный фотоэлектромагнитный комплекс аппаратурных и методических средств, созданный для определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в эпитаксиальных плёнках и плёночных структурах кадмий-ртуть-теллур p-типа, толщина которых сравнима с длиной диффузии неосновных носителей заряда. Комплекс включает в себя следующие методы: эффект Холла и магнитосопротивление, фотомагнитный эффект, фотопроводимость в магнитном поле для геометрий Фарадея и Фойгта. Определены такие параметры, как равновесная концентрация, подвижность основных и неосновных носителей заряда (дырок и электронов соответственно), времена жизни электронов и дырок в объёме, скорости поверхностной рекомбинации на свободной и связанной с подложкой границах раздела плёнки.
Скачать pdf-версию статьи