ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО GaAs-ТРАНЗИСТОРА ОТ ПАРАМЕТРОВ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КАНАЛА
А. К. Шестаков, К. С. Журавлев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН shestakov@thermo.isp.nsc.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: ПТШ, моделирование, ионная имплантация
Страницы: 124-128
Аннотация
Проведено моделирование арсенид-галлиевых ионно-легированных полевых транзисторов с затвором Шоттки и различными профилями легирования. Рассчитаны и проанализированы зависимости статических характеристик транзисторов от параметров профиля легирования. Исследованы физические процессы, определяющие характеристики транзисторов при изменении параметров профиля легирования.
|