Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.144.90.108
    [SESS_TIME] => 1732187175
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 9d5dfbadb15f13f04798bcb3f798ef26
    [UNIQUE_KEY] => e90046623e9e6b3a8d63e1a534d4c2ac
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2012 год, номер 4

ПРОМЫШЛЕННО ОРИЕНТИРОВАННЫЕ РАЗРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ МУЛЬТИПЛЕКСОРОВ ДЛЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ИК-ФОТОПРИЁМНИКОВ

А. И. Козлов, И. В. Марчишин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
kozlov@isp.nsc.ru, march@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремниевый мультиплексор, схема считывания фототоков, ИК-фотоприёмник
Страницы: 60-72

Аннотация

Рассмотрены особенности организации кремниевых мультиплексоров для многоэлементных ИК-фотоприёмников. Представлен обзор промышленно ориентированных разработок линейных (1 × 32, 1 × 288, 1 × 576) и матричных (32 × 32, 128 × 128, 160 × 128, 320 × 256) кремниевых мультиплексоров для считывания фотосигналов детекторов среднего и дальнего спектральных ИК-диапазонов на основе соединений кадмий-ртуть-теллур, свинец-олово-теллур и многослойных структур с квантовыми ямами. Выполнен анализ температурного разрешения матричных ИК-фотоприёмников на базе мультиплексоров с построчным и кадровым накоплением фотосигналов, разработанных с использованием КМОП-технологии с проектными нормами от микронных до глубоко субмикронных. Приведены типичные параметры мультиплексоров и характеристики некоторых ИК-фотоприёмников, созданных в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.