ПРИБОР ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
В. Н. Вьюхин, Ю. А. Попов
Институт автоматики и электрометрии СО РАН vvn@iae.nsk.su, popov@iae.nsk.su
Ключевые слова: полупроводниковые структуры, измерительные цепи, измерение ёмкости и заряда, фильтр, усилитель, синхронный детектор
Страницы: 72-78
Аннотация
Создан прибор для исследования динамики релаксации неравновесной ёмкости и заряда в режиме неравновесного обеднения полупроводниковых МДП-структур. Разработаны методы измерений, которые обеспечивают по каналам измерения ёмкости и заряда чувствительность до 0,03 пФ и 0,02 пКл при длительности фронта 1,5 мкс и 0,7 мкс соответственно. Результаты получены при двойной амплитуде тестового сигнала измерения ёмкости ~15 мВ и частоте 5 МГц. Реализован режим измерения вольт-фарадных характеристик при длительности развёртки до 100 с.
|