Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.142.131.51
    [SESS_TIME] => 1732187735
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 5d1eecf06fc09b0f4f3295c7515da7fa
    [UNIQUE_KEY] => 47de4012249ca26229c9f6136cbf5893
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2012 год, номер 4

СПЕКТРОСКОПИЯ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОИСТЫХ СИСТЕМАХ SiO2/Si(100)

А. С. Паршин1, С. А. Кущенков1, О. П. Пчеляков2, Ю. Л. Михлин3, Х. Т. Хасанов2
1 Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М. Ф. Решетнева
2 Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
3 Институт химии и химической технологии СО РАН
aparshin@sibsau.ru, stskush@gmail.com, pch@isp.nsc.ru, yumikh@icct.ru, hasanov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: электронная спектроскопия, сечение неупругого рассеяния электронов, длина свободного пробега электрона
Страницы: 88-92

Аннотация

Для слоистых структур SiO2/Si(100) из экспериментальных спектров потерь энергии отражённых электронов при разных энергиях первичных электронов получены спектры сечения неупругого рассеяния электронов - произведение средней длины неупругого рассеяния и его дифференциального сечения. Проведено компьютерное моделирование спектров сечения неупругого рассеяния отражённых электронов для слоистых структур с использованием диэлектрической функции материалов плёнки и подложки. Установлено, что толщина слоя SiO2, определённая при сравнении экспериментальных и модельных спектров, согласуется с результатами эллипсометрических измерений.