ЗАВИСИМОСТЬ РАЗМЕРОВ «ПОВРЕЖДЁННЫХ» ОБЛАСТЕЙ ВОКРУГ ИНДИЕВЫХ КОНТАКТОВ К p-ТИПУ КРТ НА GaAs-ПОДЛОЖКЕ ОТ ТЕМПЕРАТУР И ВРЕМЕНИ ОТЖИГА
А. Р. Новоселов, И. Г. Косулина
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН novoselov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: ГЭС КРТ, p-n-переходы, вольт-амперные характеристики p-n-переходов
Страницы: 111-115
Аннотация
Обнаружено, что вокруг индиевых контактов к p-типу ГЭС КРТ {310} на GaAs-подложках образуются «повреждённые» области, размеры которых зависят от температуры и времени отжига на воздухе. Экспериментально выяснено, что скорость расширения повреждённых областей для температуры отжига 90 ºС составляет около 4 мкм/ч, а для температур около 120 ºС - более 25 мкм/ч. После 488 часов отжига пластин ГЭС КРТ при температуре 60 ºС на воздухе образования повреждённых областей вокруг индиевых контактов к p-областям не обнаружено. Исследования проведены на пластинах p-типа ГЭС КРТ на GaAs-подложках, поверхность которых закрыта диэлектриками SiO2 и Si3N4 (суммарной толщиной около 0,15 мкм) с окнами, где сформированы p-n-переходы ионным легированием бора.
|