Электронно-энергетическая структура GaN при замещении атомов галлия атомами титана или цинка
А.О. Литинский, С.И. Новиков, Д.С. Попов
Волгоградский государственный технический университет, просп. Университетский, 100, Волгоград, 400066 novikov_s@bk.ru
Ключевые слова: энергетический спектр электронов, DFT-расчеты, гексагональный нитрид галлия, структуры Ti/GaN и Zn/GaN, разбавленные магнитные полупроводники
Страницы: 615-622 Подраздел: ТЕОРИЯ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ И ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Аннотация
Расчетная схема на основе теории функционала плотности с полной оптимизацией геометрии, модифицированная на случай структур с трансляционной симметрией, применена к исследованию энергетического спектра электронов и магнитных характеристик гексагонального нитрида галлия и структур YxGa1–xN (Y: донорная (Ti) или акцепторная (Zn) примесь). Обсуждена зависимость от концентрации допантов релаксационных смещений внедренных атомов, положения уровня химического потенциала, границ энергетических зон, ширины валентных зон и энергий, отвечающих внутризонным максимумам плотности состояний.
|