ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Ge/Si С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge ДЛЯ ФОТОПРИЁМНИКОВ СРЕДНЕГО ИК-ДИАПАЗОНА
А.И. Якимов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13 yakimov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: гетероструктуры, квантовые точки, фотодетекторы, кремний, германий
Страницы: 57-67 Подраздел: НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И ФОТОПРИЁМНИКОВ
Аннотация
Представлен обзор исследований фотоэлектрических характеристик гетероструктур Ge/SiGe/Si, содержащих слои квантовых точек Ge в матрицах Si и SiGe. В экспериментах варьировались элементный состав плёнок SiGe и его профиль, уровень и профили легирования, положение легированных слоёв Si и SiGe относительно плоскости квантовых точек и число слоёв квантовых точек. На основе проведённых исследований реализованы инфракрасные фотоприёмные элементы, функционирующие при нормальном падении света в окнах прозрачности атмосферы 3–5 и 8–12 мкм. Фотодетекторы характеризуются высокими (до 103) фотоэлектрическим усилением, обнаружительной способностью в фотовольтаическом и фотопроводящем режимах (до 0,8 · 1011 см · Гц1/2/Вт на длине волны около 4 мкм), уровнем чувствительности по току до 1 мA/Вт, работают в режиме ограничения флуктуациями фонового излучения уже при температуре 110 К и способны встраиваться в монолитные матрицы фокальной плоскости на кремниевых подложках.
|