МДП-ФОТОДИОД С ТУННЕЛЬНО-ПРОЗРАЧНЫМ СЛОЕМ ОКИСЛА НА ОСНОВЕ InAs
В.Г. Кеслер, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, А.В. Царенко, З.В. Панова
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
kesler@isp.nsc.ru
Ключевые слова: арсенид индия, тонкие плёнки, плазма тлеющего разряда, окисление, туннельный МДП-фотодиод
Страницы: 105-115
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
Представлены результаты исследований возможностей пассивации поверхности InAs сверхтонкими окисными плёнками (~3 нм) в плазме тлеющего разряда и создания на этой основе туннельных МДП-фотодиодов, а также результаты изучения кинетики окисления и химического состава формируемых окисных плёнок. Впервые для МДП-структур на основе InAs при температуре жидкого азота наблюдались безгистерезисные зависимости ёмкости от смещения в широком диапазоне полей (от -7 · 106 до +5 · 106 В/см). МДП-структуры обладают ИК-фоточувствительностью в токовом режиме. Оценочные величины обнаружительной способности составляют D* = 2,6 ·1012-8,2 · 1012 см · Гц1/2 · Вт-1 и D* = 1,5 · 1011 cм · Гц1/2 · Вт-1 при температурах 78 и 198 К соответственно. Величина амперваттной чувствительности при температуре 78 К равна 0,98 А/Вт и квантовый выход имеет значение 0,43 (без просветления подложки InAs и сапфирового окна).
|
