ТОЧЕЧНЫЕ ЗАРЯДЫ И АТОМНЫЕ МУЛЬТИПОЛЬНЫЕ МОМЕНТЫ Si И O В АМОРФНОМ SiO2 ДЛЯ ОЦЕНКИ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ И ПОТЕНЦИАЛА
А.В. Ларин1,2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Воробьевы горы
nasgo@yandex.ru
2OOO Плазмоника, корпус "Урал", центр "Сколково", 109382 Москва, ул.Нижние Поля, д.29, стр.1, помещение 1, к. 2
Ключевые слова: аморфный, оксид, атомный мультипольный момент, электростатический потенциал
Страницы: 428-438
Подраздел: ТЕОРИЯ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ И ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Аннотация
Для оценки атомных мультипольных моментов (АММ) и зарядов в модели аморфной SiO2 использовали гибридный B3LYP функционал с 30 % в обменной части от хартри-фоковского гамильтониана с базисом 88-31G*(Si)/8-411G*(O) и пакет CRYSTAL06. В качестве модели была выбрана 192-атомная элементарная ячейка аморфной SiO2, расчеты с которой приводят к удовлетворительному соответствию с экспериментальным статическим фактором рассеяния нейтронов. Вторая оптимизированная модель аморфного SiO2 (a-SiO2) с меньшим числом дефектов была приготовлена с помощью пакета VASP и полной оптимизации начальной модели a-SiO2. Для обеих моделей рассчитаны атомные заряды и АММ (до четвертого порядка включительно), выполнена их аппроксимация, качество которой сравнивается между собой для данных моделей и с таковой для кристаллических систем, АММ которых рассчитаны ранее. Делаются выводы относительно применимости оценок зарядов и АММ в рамках подходов типа погруженного кластера.
|
