СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДА 3C-SiC/SiGeC/Si(100), ФОРМИРУЕМОГО МЕТОДАМИ ВАКУУМНОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ЭПИТАКСИИ
Л.К. Орлов1,2, В.И. Вдовин3, Н.Л. Ивина1,4, Э.А. Штейнман5, М.Л. Орлов1,2, Ю.Н. Дроздов2, В.Ф. Петрова1
1Нижегородский государственный технический университет, 603950 Россия, Нижний Новгород, ул. Минина, д.24
orlov@ipm.sci-nnov.ru
2Институт физики микроструктур РАН, 607680 Россия, Нижегородская обл., Кстовский район, д. Афонино,ул. Академическая, д. 7
3Институт физики полупроводников СО РАН, 630090 Россия, Новосибирск, пp. ак. Лавpентьева, 13
4КИИТ Национальный исследовательский университет, 603155 Россия, Нижний Новгород, ул. Большая Печерская, д. 25/12
5Институт физики твердого тела РАН, 142432 Россия, Московская область, Черноголовка, ул. академика Осипьяна, д.2
Ключевые слова: кремний, карбиды кремния, германий, гетероструктуры, химическая вакуумная эпитаксия, кристаллографическая структура пленок, морфология поверхности, структура гетероперехода, инфракрасная фотолюминесценция, вольт-амперные характеристики, silicon, silicon carbides, germanium, heterostructures, chemical vacuum epitaxy, crystallographic structure of films, surface morphology, heterojunction structure, infrared photoluminescence, volt-ampere characteristics
Страницы: 1237-1247
Подраздел: МАТЕРИАЛЫ КОНФЕРЕНЦИИ «МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СОСТАВА И СТРУКТУРЫ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ», НОВОСИБИРСК, 21 - 25 ОКТЯБРЯ 2013 г.
Аннотация
В работе обсуждаются свойства нанотекстурированных слоев кубической фазы карбида кремния и формируемой под ними на внутренней границе 3C-SiC/SiGeC/Si(100) гетероперехода нанометровой базовой области SiGeC. Структуры получены в процессе низкотемпературной (менее 1000 °С) карбидизации поверхности кремния в вакууме с использованием молекулярных пучков гидридов и углеводородов. Основное внимание сосредоточено на обсуждении состава, микроструктуры и морфологии поверхности слоев. Изучены светоизлучающие свойства структур в области краевой фотолюминесценции кремния. Проведены исследования диодных характеристик гетероперехода. Методами математического моделирования изучена зонная структура гетероперехода в условиях разного уровня инжекции неравновесных носителей заряда в базовую область системы.
|
