ФАЗОВЫЙ СОСТАВ ТОНКИХ ПЛЕНОК КАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ РАЗЛОЖЕНИЕМ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
Н.И. Файнер, В.И. Косяков
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, 630090 Россия, Новосибирск, пр. Акад. Лаврентьева 3
nadezhda@niic.nsc.ru
Ключевые слова: карбонитрид кремния, тонкие пленки, гексаметилдисилазан, плазмохимическое осаждение, РФА с использованием СИ, кристаллические фазы семейства О±-Si
C
N
, silicon carbonitride, thin films, hexamethyldisilazane, plasma chemical deposition, XRD-SR, crystalline phases of the О±-Si
C
N
family
Страницы: 171-182
Подраздел: ОБЗОРЫ
Аннотация
Высокотемпературные пленки карбонитрида кремния синтезированы плазмохимическим разложением газовых смесей 1,1,1,3,3,3-гексаметилдисилазана (ГМДС) (синоним по ИЮПАК бис(триметилсилил)амин) с гелием или аммиаком в области температур 673-1273 K. показано, что пленки карбонитрида кремния, полученные в высокотемпературных процессах плазмохимического разложения кремнийорганических соединений, являются нанокомпозитными, в аморфную матрицу которых внедрены кристаллы, принадлежащие к фазам семейства α-Si 3- nC n N 4 и примесного графита. Для уточнения ранее полученных с использованием синхротронного излучения данных РФА проведено их сопоставление с литературными результатами моделирования структуры этих фаз. Показано, что в пленках присутствуют нанокристаллы α-Si 3N 4, α-Si 2CN 4, α-SiC 2N 4 и α-C 3N 4. Повышение концентрации аммиака в исходной газовой смеси приводит к уменьшению твердости пленок от 24 до 16 ГПа из-за увеличения содержания в пленках количества нанокристаллов α-Si 3N 4 и α-Si 2CN 4, обладающих меньшей твердостью по сравнению с α-C 3N 4 и α-SiC 2N 4.
|
