ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ДЕФЕКТНОГО ХАЛЬКОПИРИТА CdGa2Se4 ПО ДАННЫМ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО РАСЧЕТА "ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ" И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
А.А. Лаврентьев1, Б.В. Габрельян1, П.Н. Шкумат1, П.Н. Никифоров1, О.В. Парасюк2, О.Ю. Хижун3
1Донской государственный технический университет, 344000 Россия, Ростов-на-Дону, пл. Гагарина, 1
alavrentyev@dstu.edu.ru
2Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки, 43025 Украина, Луцк, просп. Воли, 13
3Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, 03680 Украина, Киев, ул. Кржижановского, 3
Ключевые слова: электронная структура, дефектный халькопирит, плотности электронных состояний, рентгеновские спектры
Страницы: 523-526
Подраздел: МАТЕРИАЛЫ КОНФЕРЕНЦИИ «РЕНТГЕНОВСКИЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ И ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ» (РЭСХС-21), НОВОСИБИРСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР, 7-11 ОКТЯБРЯ 2013 Г
Аннотация
Модифицированным методом присоединенных плоских волн (ППВ) по программе WIEN2k рассчитаны "из первых принципов" полные и парциальные плотности электронных состояний всех компонентов CdGa2Se4. Результаты ППВ-расчета свидетельствуют о том, что в соединении CdGa2Se4 наибольший вклад в валентную зону осуществляют Seр-состояния — их вклад максимальный у потолка валентной зоны, а у дна зоны проводимости преобладают вклады Gas*-состояний. В CdGa2Se4, согласно результатам теоретического ППВ-расчета, существенный вклад в валентную зону осуществляют также электронные Cdd- и Gap-состояния (с преимущественным их вкладом у дна и в верхней части зоны соответственно). Совмещение в единой энергетической шкале рентгеновских эмиссионных Cd Lβ2,15-, GaKβ
2- и SeKβ
2-полос, а также рентгеновского фотоэлектронного спектра валентных электронов, полученных для монокристаллов CdGa2Se4, свидетельствует о хорошем согласии полученных в нашей работе теоретических и экспериментальных данных относительно особенностей электронного строения соединения CdGa2Se4.
DOI: 10.15372/JSC20150315 |
