Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.221.68.196
    [SESS_TIME] => 1732186043
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 18414f1da63c7004d7a7bb29938bce96
    [UNIQUE_KEY] => edea87c986401df9696d973988c85fd3
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 1

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ЗАЗОРА МЕЖДУ ЧИПАМИ В МОЗАИЧНЫХ ФОТОПРИЁМНЫХ МОДУЛЯХ

А.Р. Новоселов
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, 630090, г. Новосибирск, ул. Николаева, 8
novoselov@oesd.ru
Ключевые слова: мозаичные фотоприёмники, лазерное скрайбирование, фотопрёмники на гетероэпитаксиальных плёнках КРТ, фоточувствительные болометрические матрицы, кремниевые микросхемы, mosaic photodetectors, laser scribing, photodetectors based on heteroepitaxial mercurycadmium-telluride (MCT) films, photosensitive bolometric matrices, silicon microchips
Страницы: 115-121
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Предложен способ формирования краёв чипов в целях уменьшения зазора между чипами в мозаичных фотоприёмных модулях, чувствительных в инфракрасном спектральном диапазоне: формирование несимметричных скрайбовых канавок лазерным излучением, откол края поверхности чипа, уходящей под него, и последующая корректировка вертикальности края лазерным излучением. Ширина зазора между чипами составляет 1-3 мкм.

DOI: 10.15372/AUT20160114