СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ЗАЗОРА МЕЖДУ ЧИПАМИ В МОЗАИЧНЫХ ФОТОПРИЁМНЫХ МОДУЛЯХ
А.Р. Новоселов
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, 630090, г. Новосибирск, ул. Николаева, 8 novoselov@oesd.ru
Ключевые слова: мозаичные фотоприёмники, лазерное скрайбирование, фотопрёмники на гетероэпитаксиальных плёнках КРТ, фоточувствительные болометрические матрицы, кремниевые микросхемы, mosaic photodetectors, laser scribing, photodetectors based on heteroepitaxial mercurycadmium-telluride (MCT) films, photosensitive bolometric matrices, silicon microchips
Страницы: 115-121 Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
Предложен способ формирования краёв чипов в целях уменьшения зазора между чипами в мозаичных фотоприёмных модулях, чувствительных в инфракрасном спектральном диапазоне: формирование несимметричных скрайбовых канавок лазерным излучением, откол края поверхности чипа, уходящей под него, и последующая корректировка вертикальности края лазерным излучением. Ширина зазора между чипами составляет 1-3 мкм.
DOI: 10.15372/AUT20160114 |