IN SILICO ИССЛЕДОВАНИЕ АТОМНОЙ И ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СЕМЕЙСТВА CdTe, ДОПИРОВАННЫХ АТОМАМИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
А.Н. Кравцова, С.А. Сучкова, М.Б. Файн, А.В. Солдатов
Южный федеральный университет, 344 Россия, Ростов-на-Дону, пр. Стачки, 194/2
akravtsova@sfedu.ru
Ключевые слова: квантовые точки, теллурид кадмия, допирование, редкоземельные элементы, атомная и электронная структура, компьютерное моделирование, XANES спектроскопия, quantum dots, cadmium telluride, doping, rare earth elements, atomic and electronic structures, computer simulation, XANES spectroscopy
Страницы: 520-526
Аннотация
Проведено in silico исследование полупроводниковых квантовых точек семейства CdTe, допированных атомами редкоземельных элементов, на основе теории функционала электронной плотности. Выполнен ab initio компьютерный дизайн квантовых точек на основе наночастиц CdTe, допированных атомами Eu и Gd. Вычислены и проанализированы парциальные плотности электронных состояний квантовых точек CdTe:Eu и CdTe:Gd. Рассчитаны спектры рентгеновского поглощения в ближней к краю области за K, L1 и L3-краем европия и K, L1 и L3-краем гадолиния квантовых точек CdTe:Eu и CdTe:Gd. Показана чувствительность спектроскопии XANES для верификации параметров наноразмерной атомной структуры квантовых точек на основе частиц CdTe, допированных атомами редкоземельных элементов, и определения локальной атомной структуры вокруг атомов редкоземельных элементов в квантовых точках.
DOI: 10.15372/JSC20160310 |
